日本的東北大學小池淳一教授面向大尺寸液晶面板，開發出了柵極和源漏極均采用Cu布線的Cu-Mn合金技術。將Cu-Mn合金應用于柵極的基本技術已于2007年5月發布，而此次則開發出了能夠進一步應用于源極和漏極的生產工藝。因為能夠將Al布線工藝全面轉變為Cu布線工藝，可以減少制造大尺寸TFT底板時的工藝數量和濺鍍裝置數量，從而可以降低成本。
對a-Si層進行氧等離子體處理
Cu-Mn合金的原理是：在O2環境下以250～350℃的高溫進行熱處理，使固溶的Mn移至周邊與O2結合，布線中央部分變成純Cu，而周邊變成擴散阻擋層，從而實現低電阻布線。以柵極為例，在底板玻璃上濺射Cu-Mn合金并在O2環境下進行熱處理，O2與Mn結合而成的Mn氧化物層在玻璃中及布線周邊形成，從而實現了低電阻布線與玻璃底板之間的密著性。
同樣，為將Cu-Mn合金應用于源極和漏極，如何實現與不含O2的非晶硅（a-Si）層之間的密著性和導通性是一大課題。小池教授通過在O2環境下用等離子體對a-Si層表面進行氧化，實現了熱處理時Cu-Mn合金中的Mn與O2結合的工藝。
利用室溫下的等離子體氧化處理，使氧化層厚度達到1～2nm最佳狀態
由于通過熱處理獲得的Mn氧化物屬于絕緣體，過厚會有損電極與a-Si層的導通性，而過薄又會犧牲密著性和擴散阻擋性。通過對a-Si層上形成的氧化層厚度進行研究，發現厚度在1～2nm最為合適。利用回轉泵抽真空至1Pa左右，在10Pa左右的O2環境中，以室溫進行1分鐘的等離子體處理以形成Cu-Mn合金，再以250℃高溫進行10分鐘熱處理，便可獲得厚度1～3nm的氧化層。這時，利用等離子體處理形成的氧化層厚度不依賴于時間，即使處理30分鐘也同樣為1～3nm的厚度，因此小池教授自信地表示“量產時的工藝范圍很大”。目前已證實：熱處理后在氧化層上形成的Mn氧化物層兼備歐姆特性（代表導通性）、擴散阻擋性和密著性。
濺鍍裝置由3臺減為1臺
目前的布線由Mo-Al-Mo三層構成，利用Mo確保與玻璃底板和a-Si層的密著性和擴散阻擋性。因此，要形成各金屬層，需要3臺濺鍍裝置。正在開發的普通Cu布線，目的是用Cu置換Al以降低電阻，仍需要Mo層，且需要3臺濺鍍裝置。
而使用Cu-Mn合金的此次工藝，濺鍍裝置分別只需1臺。其中，柵極布線采用濺鍍裝置和熱處理裝置，源極和漏極布線中，前者采用O2環境的等離子體裝置，后者采用熱處理裝置。因此，價格昂貴的濺鍍裝置只需要2臺，是原來的1/3。小池教授估算，裝置導入成本可比現在減少30％，濺射材料成本可減少20％，工藝成本可減少40％，總布線成本可減少30％。
布線電阻為Al的1/2
使用Cu-Mn合金的此次工藝，其電阻是目前Al布線的約1/2，為2μΩ•cm。這樣，實現大尺寸液晶面板的同時，還可以實現單側驅動、將驅動IC減半及改善圖像不均現象。
目前采用的Cu-Mn合金為Mn占2%的固溶體，而實際工藝將還能夠采用Mn占1～4%的合金。濺鍍靶材易于制造和供應。
小池教授表示，目前正與部分廠商進行共同研發。另外，還考慮對制造裝置廠商等提供技術指導。
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